IBM представила первый 7-нанометровый тестовый чип нового поколения

Исследователи IBM объявили о важном достижении в области разработки новейшей полупроводниковой продукции и представили первый тестовый чип, выполненный по 7-нанометрововй технологии с функциональными транзисторами. Новый чип разработан IBM в сотрудничестве с Global Foundries, Samsung и STMicroelectronics на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк.

Технология позволит размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей.

Для создания чипа по 7-нанометровой технологии с более высокими показателями производительности, низким энергопотреблением и улучшенным масштабированием исследователям IBM пришлось отказаться от традиционных методов производства полупроводниковой техники. Разработка наночипа потребовала использования ряда передовых технологий, например, кремний-германиевых (SiGe) канальных транзисторов и многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ) литографии, которые были впервые применены исследовательским центром IBM Research совместно с партнерами.

Новые наночипы стали результатом $3 млрд инвестиций, объявленных IBM в 2014 году, которые в течение пяти лет компания планирует вложить в научные исследования и разработку чипов.